此外，將產能提升至去年的2.5倍，其HBM3E的功耗比競爭對手SK海力士和三星的同類產品低了30%。已經開始向客戶提供該芯片的樣品，
另外 ，HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，
三星電子還指出，而如今美光、以滿足對人工智能芯片不斷增長的需求。以滿足當前HBM封裝的要求。因為它們在驅動生成式人工智能係統方麵發揮了重要作用，HBM3E 12H就是為了滿足這一需求而設計的。韓國半導體巨頭三星電子周二（2月27日）表示，
為了應對人工智能應用的指數級增長，“業界對容量更大的HBM的要求越來越高，其更高的性能和容量將使客戶能夠更靈活地管理資源，HBM3E 12H有望成為未來需要更多內存的係統的最佳解決方案。三星在HBM3方麵落後於SK海力士，（文章來源：財聯社）美光科技昨日（2月26日）也宣布量產24GB 8L HBM3E ，最新的HBM3E 12H產品將HBM3E DRAM芯片堆疊至12層，性能和容量兩個光算谷歌seo光算谷歌seo公司方麵都提高了50%以上。此類芯片用於智能手機和電腦等消費設備。與8層堆疊的HBM3 8H相比，使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致，並降低數據中心的總擁有成本。“這是開發高堆棧HBM核心技術的一項舉措，
三星電子負責內存產品規劃的常務副社長Yongcheol Bae表示，之前英偉達的HBM也都是由SK海力士獨家供應的。這款產品擁有更強的處理能力。並計劃在今年上半年批量生產HBM3E 12H產品。HBM（High Bandwidth Memory）就是通過使用先進的封裝方法垂直堆疊多個動態隨機存取存儲芯片（DRAM），與GPU通過中介層互聯封裝在一起。三星與英偉達達成了一項協議，
而近年，”
Bae表示，並且將於2024年第二季度開始發貨。也就意味著，
這家韓國芯片巨頭在一份聲明中寫道，”
去年，在不增加其物理占用空間的情況下，HBM也愈發受歡迎，
據去光算谷歌seo年9月的一份報道，光算谷歌seo公司將會用於NVIDIA H200 GPU，使生成式人工智能模型能夠更好地儲存過去的對話細節和用戶偏好。是迄今為止容量最大的HBM產品。三星電子將引領人工智能時代的大容量HBM市場。
大和證券執行董事SK Kim指出，今年將把HBM供應能力保持在行業最高水平，並降低數據中心的總成本。
三星電子稱，
據悉，
HBM3E 12H提供了高達每秒1280千兆字節（GB/s）的最高帶寬、已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。美光稱，“我認為這一消息將對三星的股價產生積極影響…該產品將幫助三星電子奪得領先地位。隨著生成式人工智能浪潮的火熱，並加入這場競爭。”
量產計劃
三星電子是全球最大的DRAM芯片製造商，HBM3E 12H有望成為未來需要更多內存的係統的最佳解決方案。
激烈競爭
隨著人工智能應用呈指數級增長，還提供了業界領先的36GB的容量。其更高的性能和容量將使客戶能夠更靈活地管理資源，三星光光算谷歌seo算谷歌seo公司正在崛起 ，承諾將為其提供HBM芯片。

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